Оронгийн транзистор: Засвар хоорондын ялгаа

Content deleted Content added
No edit summary
No edit summary
Мөр 1: Мөр 1:
'''Оронгийн транзистор''' ('''Field effect transistor、FET''') нь драйн сөөрсийн хооронд гүйх [[электрон]] болон [[нүх]]нүүдын гүйдлийг гэйт дэх цахилгаан оронгийн нөлөөгөөр ихэсгэж багасгадаг [[транзистор]] юм.
'''Оронгийн транзистор''' ('''Field effect transistor、FET''') нь драйн сөөрсийн хооронд гүйх [[электрон]] болон [[нүх]]нүүдын гүйдлийг гэйт дэх цахилгаан оронгийн нөлөөгөөр ихэсгэж багасгадаг [[транзистор]] юм.
Олонхи тээгч болон цөөнх тээгч хоёрын хоеулангийн оролцоотойгоор гүйдэл нь гүйдэг [[биполар транзистор]]той харьцуулбал, оронгийн транзистороор гүйх гүйдэл нь зөвхөн олонхи тээгчээр гүйдэг тул юниполар гэж хэлэгддэг.
Олонхи тээгч болон цөөнх тээгч хоёрын хоеулангийн оролцоотойгоор гүйдэл нь гүйдэг [[биполар транзистор]]той харьцуулбал, оронгийн транзистороор гүйх гүйдэл нь зөвхөн олонхи тээгчээр гүйдэг тул юниполар транзистор гэж бас нэрлэгддэг.
Оронгийн транзисторийг дотор нь бүтцийн ялгаагаар нь MOSFET ба JFET гэсэн 2 том ангид хувааж авч үздэг.


{{Түүхий}}
{{Түүхий}}

15:01, 31 Тавдугаар сар 2009-ий байдлаарх засвар

Оронгийн транзистор (Field effect transistor、FET) нь драйн сөөрсийн хооронд гүйх электрон болон нүхнүүдын гүйдлийг гэйт дэх цахилгаан оронгийн нөлөөгөөр ихэсгэж багасгадаг транзистор юм. Олонхи тээгч болон цөөнх тээгч хоёрын хоеулангийн оролцоотойгоор гүйдэл нь гүйдэг биполар транзистортой харьцуулбал, оронгийн транзистороор гүйх гүйдэл нь зөвхөн олонхи тээгчээр гүйдэг тул юниполар транзистор гэж бас нэрлэгддэг. Оронгийн транзисторийг дотор нь бүтцийн ялгаагаар нь MOSFET ба JFET гэсэн 2 том ангид хувааж авч үздэг.

Stub icon

Энэ өгүүлэл дутуу дулимаг бичигджээ. Нэмж гүйцээж өгөхийг хүсье.