Жон Бардин

Чөлөөт нэвтэрхий толь — Википедиагаас
Харайх: Удирдах, Хайлт
Нобелийн шагналтан Нобелийн шагнал
Хүртсэн он: 1956
Хүртсэн салбар: Физик
Шалтгаан: Хагас дамжуулагчийн судалгаа, транзисторын нээлт
Нобелийн шагналтан Нобелийн шагнал
Хүртсэн он: 1972
Хүртсэн салбар: Физик
Шалтгаан: Хэт дамжуулагч үзэгдлийн онолын тайлбар
Хэт дамжуулагчийн онол, түүнийхээ төлөө Нобелийн шагналыг 2 дахиа хүртсэн Жон Бардины дурсгалын самбар. Иллинойн их сургууль, Урбана-Шампан

Жон Бардин (англ. John Bardeen; 1908.05.23-нд АНУ, Висконсин, Мадисонд төрж 1991.01.30-нд Массачуссэтс, Бостонд нас барсан) нь АНУ-ын физикч, цахилгааны инженер бөгөөд физикийн салбар дахь Нобелийн шагналыг 2 удаа хүртсэн хүн юм. Принстоны их сургуульд физик математикаар докторын зэрэг хамгаалсан. 1956 онд Уильям Шокли, Волтер Браттэйн нарын хамт транзисторыг нээснийхээ төлөө хүртсэн; мөн 1972 онд Леон Нейл Купер, Жон Роберт Шриффер нарын хамт хэт дамжуулагчийн талаарх үндсэн онолыг бий болгосныхоо төлөө хүртжээ. Энэ онол (Бардин-Купер-Шриффер буюу БКШ-ийн онол хэмээн алдаршсан) нь хожим нь хэт дамжуулагчийн сэдвээр хийгдсэн бүх эрдэм шинжилгээний ажлын үндэс болсон. Түүнчлэн Бардин хагас дамжуулагчийн зарим шинж чанарыг тайлбарласан онолыг зохиосон билээ.

Транзистор нь электроникийн салбарт хувьсгал хийж, мэдээллийн эриний үүдийг нээсэн гэж хэлж болно. Харилцуур утаснаас эхлээд компьютер, пуужин гээд орчин үеийн цахилгаан хэрэгслүүдийн ихэнх нь транзистор ашиглаж хийгддэг билээ. Мөн түүнд 2 дахь Нобелийн шагналыг авчирсан хэт дамжуулагчийн онол нь компьютер томограф болон соронзон бичлэг зэрэгт ашиглагдаж, анагаах ухааны хөгжлийг шинэ шатанд гаргасан билээ.

1990 онд Жон Бардин Лайф сэтгүүлийн "20-р зууны хамгийн нөлөө бүхий 100 америк хүн"-ий нэгээр нэрлэгджээ[1].

Эшлэл[засварлах]

  1. "John Bardeen, Nobelist, Inventor of Transistor, Dies", Вашингтон Пост, 1991-01-31. 2009 оны 5 сарын 14-нд авсан.