Цахиур

Цахиур, ₁₄Si
	Цахиурын спектрийн шугам
Ерөнхий шинж чанарууд
Нэр, тэмдэг	цахиур, Si
Гадаад байдал	талст, гадаргуугаас нь бүүдгэр цэнхэр туяа ойно
Англи дуудлага	/ˈsɪl[invalid input: 'ɨ']kən/ or /ˈsɪl[invalid input: 'ɨ']kɒn/ ; SIL-ə-kən or SIL-ə-kon
Цахиур-ийн үелэх систем дэх байрлал
	хөнгөн цагаан ← цахиур → фосфор
Цэнэгийн тоо (Z)	14
Атом масс (Ar)	28.085 (28.084–28.086)
Элементийн ангилал	металлоид
Бүлэг, блок	бүлэг 14 (карбон бүлэг), p-блок
Үе	үе 3
Электрон бүтэц	[Ne] 3s2 3p2
давхарга бүрт	2, 8, 4
Физик шинж чанарууд
Төлөв	хатуу
Хайлах температур	1687 K (1414 °C, 2577 °F)
Буцлах температур	3538 K (3265 °C, 5909 °F)
Нягт т.т.	2.3290 г/см3
шингэн үед,х.т.	2.57 г/см3
Хайлах энтальп	50.21 Ж/моль
Уурших энтальп	383 кЖ/моль
Хувийн дулаан шингээлт	19.789 Ж/(моль·K)
Атомын шинж чанар
Исэлдэлтийн зэрэг	4, 3, 2, 1 −1, −2, −3, −4 (амфотер исэл)
Цахилгаан сөрөг чанар	Полингийн шаталбар: 1.90
Ионжилтын энерги	1 дэх: 786.5 кЖ/моль ; 2 дахь: 1577.1 кЖ/моль ; 3 дахь: 3231.6 кЖ/моль ; (илүү үзэх)
Атомын радиус	эмпирик: 111 пм
Ковалент радиус	111 pm
Ван дер Ваальсийн радиус	210 pm
Бусад
Талст бүтэц	Алмазан куб
Дууны хурд нарийн савх	8433 m/s (at 20 °C)
Дулааны тэлэлт	2.6 µm/(m·K) ( 25 °C-д)
Дулаан дамжуулалт	149 W/(m·K)
Цахилгаан эсэргүүцэл	2.3X103 Ω·m ( 20 °C-д)
Хориотой бүс	1.12 eV (at 300 K)
Соронзон чанар	дисоронзон
Юнгийн модуль	130–188 GPa
Хөдөлгөх модуль	51–80 GPa
Эзлэхүүний модуль	97.6 GPa
Пуассоны коэффициент	0.064–0.28
Моосын хатуулаг	7
CAS дугаар	7440-21-3
Түүх
Нэрийн үүсэл	Латин 'silex' эсвэл 'silicis' - цахиур чулуу
Таамагласан	Антуан Лавуазье (1787)
Нээсэн ба анх ялгасан	Йёнс Якоб Берцелиус (1823)
Нэр өгсөн	Томас Томсон (1817)
Хамгийн тогвортой изотопууд
	үзэх · хэлэлцэх · засах· эх сурвалж

Цахиур (Латин: silicium) нь Si гэж тэмдэглэгддэг химийн элемент юм. Атомын дугаар нь 14. Орчлон ертөнцийн хэмжээнд найм дахь, дэлхийн царцдаст хоёр дахь (хүчилтөрөгчийн дараа) өргөн тархалттай элемент болно. Дэлхийн царцдасын 25.7% - ыг (массын) цахиур бүрдүүлнэ.

Цахиурыг шил, цемент, эмнэлэгт хэрэглэхээс гадна, хамгийн гол нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд өргөн хэрэглэнэ.

Цахиур нь ургамалын, ялангуяа өвслөг ургамлын метаболизмын үйл ажиллагаанд маш чухал үүрэг гүйцэтгэнэ.

Изотопи

22-оос 44 хүртэл атом масс бүхий изотопиуд мэдэгдэж байгаагаас ²⁸Si (92.23%), ²⁹Si (4.67%), ба ³⁰30Si (3.1%) гэсэн тогтвортой изотопиуд, мөн Аргоны задралаар үүсдэг ³²Si (хагас задралын хугацаа нь 170 жил) нь өргөн тархалттай болно.

Цахим холбоос

Wiktionary

Wiktionary: Цахиур – Энэ үгийг тайлбар толиос харна уу

Commons: Цахиур – Викимедиа дуу дүрсний сан

Эшлэл

↑ Conventional Atomic Weights 2013. Commission on Isotopic Abundances and Atomic Weights
↑ Standard Atomic Weights 2013. Commission on Isotopic Abundances and Atomic Weights
↑ Ram, R. S.; et al. (1998). "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" (PDF). J. Mol. Spectr. 190: 341–352. PMID 9668026.
↑ Eranna, Golla (2014). Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI. CRC Press. p. 7. ISBN 978-1-4822-3281-3.
↑ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., ed. (2005). CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th ed.). Boca Raton (FL): CRC Press. ISBN 0-8493-0486-5.
↑ ^6.0 ^6.1 ^6.2 ^6.3 Hopcroft, Matthew A.; Nix, William D.; Kenny, Thomas W. (2010). "What is the Young's Modulus of Silicon?". Journal of Microelectromechanical Systems. 19 (2): 229. doi:10.1109/JMEMS.2009.2039697.
↑ Weeks, Mary Elvira (1932). "The discovery of the elements: XII. Other elements isolated with the aid of potassium and sodium: beryllium, boron, silicon, and aluminum". Journal of Chemical Education. 9 (8): 1386–1412. Bibcode:1932JChEd...9.1386W. doi:10.1021/ed009p1386.
↑ Voronkov, M. G. (2007). "Silicon era". Russian Journal of Applied Chemistry. 80 (12): 2190. doi:10.1134/S1070427207120397.

[CIAAW-1] Conventional Atomic Weights 2013. Commission on Isotopic Abundances and Atomic Weights

[IUPAC-2] Standard Atomic Weights 2013. Commission on Isotopic Abundances and Atomic Weights

[3] Ram, R. S.; et al. (1998). "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" (PDF). J. Mol. Spectr. 190: 341–352. PMID 9668026.

[Eranna2014-4] Eranna, Golla (2014). Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI. CRC Press. p. 7. ISBN 978-1-4822-3281-3.

[5] Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., ed. (2005). CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th ed.). Boca Raton (FL): CRC Press. ISBN 0-8493-0486-5.

[hopcroft-6] 6.0 ^6.1 ^6.2 ^6.3 Hopcroft, Matthew A.; Nix, William D.; Kenny, Thomas W. (2010). "What is the Young's Modulus of Silicon?". Journal of Microelectromechanical Systems. 19 (2): 229. doi:10.1109/JMEMS.2009.2039697.

[7] Weeks, Mary Elvira (1932). "The discovery of the elements: XII. Other elements isolated with the aid of potassium and sodium: beryllium, boron, silicon, and aluminum". Journal of Chemical Education. 9 (8): 1386–1412. Bibcode:1932JChEd...9.1386W. doi:10.1021/ed009p1386.

[8] Voronkov, M. G. (2007). "Silicon era". Russian Journal of Applied Chemistry. 80 (12): 2190. doi:10.1134/S1070427207120397.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]